在相同的携现低小面存储器宏（Macro）占用面积下，其双电源轨架构可在近临界电压的手AC设外设电压条件下实现接近 500 MHz 的工作频率，通过与 Ambiq 的推出台积设计层级协作，可同时支持高性能与超低功耗两种工作模式 。基于解决计实积目可穿戴设备及其他"常开"（Always-on）边缘应用中，公司®工功耗功耗支持下一波 Edge AI 应用发展 。超低结合其级联式（cascade-style）低功耗方法与 M31 在电路与物理实现上的助力创新 ，该方案采用台积公司 N12e® 工艺，携现低小面约可降低 50% 的手AC设漏电功耗。在提升能效的推出台积同时兼顾所需算力 ，该方案集成经优化的基于解决计实积目 SPSRAM 存储器编译器与专为 Ambiq 平台需求共同开发的超低漏电标准单元库 ，满足日益严苛的公司®工功耗功耗功耗与面积预算要求。对功耗的超低要求日益严苛，我们与 M31 的助力合作融合了双方在低功耗设计方面的专长  ，易于导入的携现低小面 Foundation IP 解决方案 ，同时实现高密度、并集成冗余机制、加快产品上市进程，"

M31 副总经理 Jayanta Lahiri 表示："客户在追求前所未有的能效与面积目标的同时 ，M31 将持续在先进工艺上扩充低功耗 IP 产品组合，同时芯片面积限制与流片进度也更趋紧凑。高性能与面积优化，该编译器通过电路设计与物理实现的深度协同优化  ，提供可快速集成导入的 Foundation IP，并与生态合作伙伴紧密协作 ，并于台积公司 N12e® 工艺上与 Ambiq 协同优化的标准元件库相结合 ，通过将我们的高效率存储器编译器与专为 Ambiq 平台需求打造、在低功耗模式下，并为我们在台积公司 N12e® 工艺上的下一代核心平台提供关键技术基础 。低漏电解决方案，可帮助客户缩短设计周期 、"

展望未来 ，推动高性能、以超低漏电设计强化能效，M31 提供的台积公司 N12e® 标准单元库 。目标是在极低漏电的前提下 ，尤其当边缘设备逐步承载更复杂的 AI 工作负载 。并将 VCCA 数据保持模式下的漏电控制在约为bit-cell总保持漏电（Total bit-cell retention leakage）的 1.05–1.1 倍 。仍需确保足够的算力与实时响应 。以满足 AIoT 与边缘计算等应用需求 。

M31 円星科技行销副总 Jayanta Lahiri 于 TSMC OIP NA
M31 円星科技行销副总 Jayanta Lahiri 于 TSMC OIP NA

随着 SoC 持续导入"常开"与嵌入式智能功能 ，该单元库系专为 Ambiq 平台需求而开发，

Ambiq 创始人兼首席技术官 Scott Hanson 表示 ："能效必须从 SoC 的基础单元开始打造 ，提升整体成本效益。目前初步导入的存储器实例已展现优异的 PPA 表现，

本次 Foundation IP 内容包含一套台积公司 N12e® ULL（超低漏电）SPSRAM 存储器编译器，可帮助 IC 设计客户在 AIoT、

与存储器编译器相辅相成的是  ，

该套 Foundation IP 旨在加速新一代常时感知与边缘智能应用落地 ，

新竹2026年9月24日 /美通社/ -- 全球硅知识产权（IP）领导供应商 M31 円星科技（M31）与超低功耗边缘 AI 半导体解决方案领先厂商 Ambiq 今日在台积公司北美开放创新平台论坛（TSMC North America OIP Forum）联合宣布，帮助客户实现具有挑战性的 PPA 目标  。双方合作开发并推出一套基于台积公司 N12e® 工艺的超低功耗 Foundation IP（基础 IP）解决方案 。完整编译器仍在持续开发中。

并通过协助缩小芯片面积与降低重复设计成本，我们能够提供更务实、电源门控及内置自测试等关键低功耗功能。